En este trabajo, investigamos la evolución de la tensión umbral () y la resistencia de encendido () en los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC) durante la operación en modo de conmutación. Se presenta un novedoso montaje de medición para realizar la caracterización necesaria sobre la marcha y se informan los resultados experimentales obtenidos en dispositivos SiC envasados comercialmente en TO-247. Las mediciones se realizaron durante 1000 s, durante las cuales se observaron desplazamientos negativos (es decir, disminución) y derivas negativas (es decir, disminución). Para comprender mejor el origen de estas derivas de parámetros y su posible correlación, se realizaron mediciones para diferentes (i) voltaje de accionamiento de puerta () y (ii) voltaje de drenaje en estado de apagado ). Descubrimos que la reducción conduce a un aumento de corriente, lo que resulta en una disminución. Esta correlación se explicó por la dependencia del voltaje de sobremarcha (-). También encontramos que los efectos relacionados con la puerta dominan las derivas de parámetros a baja con ninguna recuperación observable, debido a la conmutación repetida de la señal de puerta requerida para el monitoreo de parámetros. Por el contrario, las inestabilidades inducidas por el drenaje causadas por altos son completamente recuperables dentro de 1000 s desde la eliminación. Estos resultados muestran que el montaje de medición es capaz de discernir las contribuciones de puerta/drenaje, aclarando el origen de las derivas observadas y .