Este trabajo investiga los efectos del oxígeno y la humedad en las escamas de fósforo negro (BP) y fósforo arsenioso negro utilizando espectroscopia Raman y mediciones de transporte eléctrico in situ (resistencia de cuatro puntas y potencia termoeléctrica, TEP). Los resultados muestran que la incorporación de arsénico en la red de BP lo hace más estable, con los tiempos de degradación para BP, y siendo de 4, 5 y 11 días, respectivamente. Se determinó que las intensidades del pico Raman P-P disminuyen con la exposición al oxígeno y la humedad. Las mediciones de TEP confirmaron que tanto BP como son semiconductores tipo p, con el TEP de estabilización más lento que el de BP. Además, la resistencia de cuatro puntas de BP y se estabilizó significativamente más rápido cuando se expuso al aire después de ser desgasificado en un vacío. Esto se atribuyó a la transferencia de carga entre el potencial redox de oxígeno del aire y la energía de Fermi (E) de los semiconductores.