Un transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio de modo de mejora (E-mode GaN HEMT) operado a alta frecuencia es altamente propenso a picos de corriente () y picos de voltaje () en el inductor parásito de su circuito, lo que resulta en daños al interruptor de potencia. Para resaltar los fenómenos de y , este estudio conectó los terminales de drenaje, fuente y compuerta en serie con inductores (, , y , respectivamente). El objetivo era explorar los efectos de los fenómenos y la frecuencia de operación () en el voltaje de drenaje a fuente (), corriente de drenaje a fuente () y voltaje de compuerta a fuente (). El método experimental comprendió dos proyectos: (1) establecimiento de un sistema de medición para evaluar el cambio de características eléctricas del E-mode GaN HEMT y (2) cambio de los y las inductancias (es decir, , , y ) en el circuito para medir los cambios en , , y , resumiendo así los resultados experimentales. Según los resultados experimentales sobre las características eléctricas, se podría diseñar un circuito controlador de compuerta para impulsar y proteger el E-mode GaN HEMT mientras se aplica realmente a un convertidor buck síncrono de 120 W con un voltaje de salida de 12 V y una corriente de salida de 10 A.