En este documento, se fabrican transistores de película delgada orgánica con diferentes configuraciones, y se analiza el efecto en su rendimiento al adaptar las interfaces semiconductor/aislante y semiconductor/contacto a través de tratamientos adecuados. Se muestra que la espectroscopia de admitancia utilizada junto con un modelo eléctrico adecuadamente desarrollado resulta ser una técnica particularmente apropiada para correlacionar el rendimiento de dispositivos basados en nuevos materiales en los métodos de fabricación. El modelo propuesto aquí para describir el capacitor de metal-aislante-semiconductor (MIS) equivalente permite la extracción de una amplia gama de parámetros y el estudio de los fenómenos físicos que ocurren en los transistores: difusión de iones móviles a través del aislante, captura de carga en las interfaces, transporte dispersivo en el semiconductor e inyección de carga en los contactos metálicos. Esto es necesario para mejorar el rendimiento y la estabilidad en el caso, como este, de un nuevo semiconductor orgánico empleado. También se utilizan imágenes de microscopía de fuerza atómica para respaldar la relación entre la morfología del semiconductor y los parámetros eléctricos.