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Investigación sobre técnicas de lectura y dibujo paralelo para datos de simulación de pulido químico-mecánico basadas en multi-hilo

Autores: Ji, Zhenyu; Chen, Lan; Sun, Yan; Cai, Hong

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Investigación sobre técnicas de lectura y dibujo paralelo para datos de simulación de pulido químico-mecánico basadas en multi-hilo


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Pulido químico-mecánico
Herramientas de simulación CMP
Defectos
Diseño
Tecnología de múltiples hilos
Volumen de datos

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 35

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En la fabricación avanzada de circuitos integrados, la calidad del pulido químico-mecánico (CMP) es un factor clave que afecta al rendimiento y rendimiento del chip. Los diseñadores necesitan utilizar herramientas de simulación CMP para localizar y analizar los defectos en el diseño después del proceso CMP. Sin embargo, el avance de los nodos de proceso y el aumento en el volumen de datos presentan un gran desafío para la velocidad de visualización gráfica de los datos de simulación CMP. Para resolver este problema, proponemos una solución que utiliza la tecnología de subprocesos múltiples para optimizar tanto la lectura de datos como el dibujo. En el proceso de lectura de datos, empleamos la tecnología OpenMP y de mapeo de memoria (Mmap) para lograr la lectura paralela de segmentación de archivos y proponemos un algoritmo de conversión de cadenas rápido basado en las propiedades de los datos de simulación. En el proceso de dibujo de datos, proponemos un método adaptativo de submuestreo para la visualización gráfica de datos que combina la tecnología de subprocesos múltiples y de doble búfer para permitir el dibujo paralelo de diseños. La efectividad de este método se verifica mediante pruebas de datos de simulación CMP de varias escalas. En comparación con los métodos tradicionales, este enfoque mejora la eficiencia de lectura en más de 8 veces y la eficiencia de dibujo en más de 10 veces. Además, mejora la fluidez de la interacción con la herramienta de simulación CMP.

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