La tecnología de pulido químico mecánico (CMP) es una de las tecnologías clave para realizar la planarización global de las superficies de los wafers de semiconductores. Con la creciente popularidad y universalidad de su aplicación, se presentan más y mayores requisitos para el mecanizado de ultra precisión. Como una parte importante del sistema CMP, las almohadillas de pulido ocupan una posición dominante. En este artículo, se preparó una almohadilla de pulido de abrasivo fijo autorregresivo (SR-FAPP) mediante fotocurado. Se estudiaron las propiedades físicas y mecánicas de la SR-FAPP y el umbral de retroceso de las partículas abrasivas en la SR-FAPP. Después del CMP del wafer de SiC con una almohadilla de pulido de poliuretano y la SR-FAPP, se encontró que la tasa de eliminación de material de la primera era un 75% superior a la de la segunda, y la rugosidad de la superficie de la segunda era un 75% superior a la de la primera. En la micro-morfología, los arañazos en la superficie del wafer de SiC pulido con la segunda se redujeron notablemente, lo que mejoró efectivamente la desigualdad de los arañazos en la superficie del wafer de SiC después del pulido, proporcionando así una referencia para la preparación y la investigación del rendimiento de la almohadilla de pulido.