El efecto del ambiente de recocido en los transistores de película delgada de SnO (TFTs) fabricados a través de una ruta sol-gel a base de etanol fue investigado. El ambiente de recocido tiene un efecto significativo en las características estructurales y composición química y, a su vez, en el rendimiento del dispositivo. Aunque el tamaño del grano cristalino de las películas de SnO recocidas en aire fue el más pequeño, este tamaño produjo la mayor movilidad de campo de efecto. En comparación con la minimización de la dispersión en los límites a través del aumento del tamaño cristalino, el aumento de la concentración de portadores libres jugó un papel más crítico en la realización de dispositivos de alto rendimiento. Los TFTs de SnO fabricados presentaron una movilidad de campo de efecto, una pendiente subumbral y una relación corriente de encendido/apagado de 10.87 cm/Vs, 0.87 V/década y 10, respectivamente.