El carburo de silicio (SiC) se considera un material importante para la ingeniería nuclear debido a sus excelentes propiedades. Cambiar el contenido de carbono en SiC puede regular y controlar sus propiedades elásticas y termodinámicas, pero aún falta un estudio de simulación sobre el efecto del contenido de carbono en el esputtering (causado por los iones de helio) de SiC. En este trabajo, utilizamos los métodos de simulación Monte-Carlo y dinámica molecular para estudiar los efectos de la concentración de carbono, la energía de incidencia, el ángulo de incidencia y la temperatura del objetivo en el rendimiento de esputtering de SiC. Los resultados muestran que la energía y el ángulo de los iones incidentes tienen un efecto significativo en el rendimiento de esputtering de SiC cuando la concentración de carbono en SiC es alrededor del 62 % en peso, mientras que la temperatura del objetivo tiene poco efecto en el rendimiento de esputtering de SiC. Nuestro trabajo podría proporcionar apoyo teórico para la investigación experimental y la aplicación de ingeniería de SiC reforzado con fibra de carbono que se puede utilizar como material frente al plasma en reactores de fusión de tokamak.