Este documento propone los efectos de las presiones de cámara en la capa de pasivación de la película delgada de fase mixta de silicio nano-cristalino hidrogenado (nc-Si:H) utilizando el recocido por microondas (MWA) para lograr una película delgada de alta calidad. El uso de depósito de vapor químico asistido por plasma de muy alta frecuencia de 40.68 MHz (VHFPECVD) depositó la película delgada de fase mixta de nc-Si:H en la parte superior e inferior del sustrato de silicio cristalino de tipo n. Las presiones de cámara (0.2, 0.4, 0.6 y 0.8 Torr) del VHFPECVD fueron factores críticos para controlar el tiempo de vida del portador de la estructura simétrica. Al utilizar el VHFPECVD para depositar el nc-Si:H y utilizar el MWA para mejorar la calidad de la estructura simétrica, se lograron bien las propiedades del nc-Si:H depositado, con una fracción de volumen cristalino del 29.6%, un ancho de banda óptico de 1.744 eV y un tiempo de vida del portador de 2942.36 s, lo que podría ser valioso en aplicaciones de celdas solares de película delgada.