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Dinámica no lineal, cinética de conmutación y realización física de la familia de memristores Chua Corsage

Autores: Mannan, Zubaer Ibna; Kim, Hyongsuk

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

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Acceso abierto

Artículo científico
2020

Dinámica no lineal, cinética de conmutación y realización física de la familia de memristores Chua Corsage


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Atributos dinámicos
Cinética de conmutación
Análisis de bifurcación
Realización física
Memristores
Corsage de Chua

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 25

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este artículo revisa los atributos dinámicos no lineales, la cinética de conmutación, el análisis de bifurcación y la realización física de una familia de memristores genéricos, a saber, los memristores Chua corsage. La familia contiene tres memristores genéricos de 1er orden denominados memristores Chua corsage de 2 lóbulos, 4 lóbulos y 6 lóbulos y se pueden distinguir de acuerdo con sus estados estables asintóticos. El de 2 lóbulos tiene dos estados de equilibrio asintóticamente estables y se considera un dispositivo de memoria binario. En contraste, los versátiles de 4 lóbulos y 6 lóbulos se consideran dispositivos de memoria de varios bits por celda, ya que exhiben tres y cuatro estados estables asintóticos, respectivamente, en sus rutas dinámicas complejas y diversificadas. Debido a las rutas dinámicas diversificadas, los memristores CC presentan una curva de CC altamente no lineal. A diferencia de la mayoría de las curvas de CC altamente no lineales publicadas con varias ramas desconectadas, las curvas de CC son contiguas junto con una región de pendiente negativa localmente activa. Además, las curvas de CC y las representaciones paramétricas de los son explícitamente analíticas. La cinética de conmutación de la familia se puede demostrar con fórmulas universales de trayectorias de estado exponenciales x(t), período de tiempo T, amplitud mínima de pulso aplicada V y ancho w. Estas fórmulas se consideran universales ya que se pueden aplicar a cualquier ruta dinámica lineal por tramos para cualquier entrada de CC o pulso y con cualquier número de segmentos. Cuando se emplean actividad local y teoremas de bifurcación y caos, los CMMs presentan ciclos límite estables únicos que se originan a partir de una bifurcación de Hopf supercrítica junto con atrayentes estáticos. Además, se aplica un enfoque teórico de circuitos y sistemas no lineales para explicar el comportamiento de estabilidad asintótica de y diseñar emuladores de memristor reales utilizando componentes de circuito.

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