Impacto de inmunidad a la descarga electrostática en nLDMOS de 300 V mediante una ingeniería exhaustiva de la región de deriva
Autores: Lin, Po-Lin; Chen, Shen-Li; Fan, Sheng-Kai
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Impacto de inmunidad a la descarga electrostática en nLDMOS de 300 V mediante una ingeniería exhaustiva de la región de deriva
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Circuitos integrados
Ingeniería de la región de deriva
Dispositivos nLDMOS
Voltaje de ruptura
Inmunidad al latch-up
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Las descargas electrostáticas (ESD) son los principales factores que impactan en la fiabilidad de los circuitos integrados (IC); por lo tanto, el nivel de inmunidad ESD de estos IC es un índice importante.
Descripción
Las descargas electrostáticas (ESD) son los principales factores que impactan en la fiabilidad de los circuitos integrados (IC); por lo tanto, el nivel de inmunidad ESD de estos IC es un índice importante.