Efectos de grosor de capa activa en las características eléctricas y estabilidad de transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño amorfo de alta movilidad
Autores: Kim, Dae-Hwan; Cha, Hyun-Seok; Jeong, Hwan-Seok; Hwang, Seong-Hyun; Kwon, Hyuck-In
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Efectos de grosor de capa activa en las características eléctricas y estabilidad de transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño amorfo de alta movilidad
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Efectos
Grosor de la capa activa
Características eléctricas
Estabilidad
Alta movilidad
óxido de indio-galio-estaño
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Aquí investigamos los efectos del grosor de la capa activa en las características eléctricas y estabilidad de transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño (IGTO) de alta movilidad. Los transistores IGTO, con valores de 7 nm, 15 nm, 25 nm, 35 nm y 50 nm, fueron preparados para este análisis.
Descripción
Aquí investigamos los efectos del grosor de la capa activa en las características eléctricas y estabilidad de transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño (IGTO) de alta movilidad. Los transistores IGTO, con valores de 7 nm, 15 nm, 25 nm, 35 nm y 50 nm, fueron preparados para este análisis.