Se estudiaron los efectos de la implantación de Fe en las características eléctricas de los diodos Schottky (SBDs) de Au/-Si utilizando técnicas de corriente-tensión (-) y capacitancia-tensión (-). Los resultados de la Espectrometría de Retrodispersión de Rutherford () y la Espectroscopía de Energía Dispersiva () mostraron que los iones de Fe están bien implantados y presentes en el material de Si implantado con Fe. Los resultados obtenidos del análisis - y - mostraron que los diodos estaban bien fabricados, y la implantación de Fe cambió el comportamiento normal del diodo de - de típico exponencial a ohmico. El comportamiento ohmico se describió en términos de los niveles de defectos inducidos por Fe en el medio de la banda prohibida de Si. Se presentó el mecanismo de conducción para las corrientes directas y reversas, y se investigó el efecto de la implantación de Fe en los mecanismos de conducción. Los resultados - muestran que Fe genera una alta densidad de portadores minoritarios en -Si, lo que coincide con el aumento de la corriente inversa observada en los resultados -. Los parámetros del diodo en términos de corriente de saturación, factor de idealidad, altura de la barrera Schottky, densidad de dopaje y ancho de la región de carga espacial (SCR) se utilizaron para investigar el efecto de Fe en el diodo basado en -Si. Debido a los cambios observados, que fueron análogos a los inducidos por dopantes que mejoran la resistencia a la radiación del silicio, se puede afirmar con seguridad que Fe también puede ayudar en la búsqueda de mejorar la resistencia a la radiación del silicio utilizando el método de ingeniería de defectos.