Los transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN (HEMTs) con dos distancias gate-drain diferentes (30 m y 10 m) fueron expuestos a protones de 1 MeV, 0.6 MeV y 0.4 MeV a una fluencia de 2.16 x 10 cm. La densidad de electrones canal gate y la movilidad en campo bajo se obtuvieron mediante la medición de las características de capacitancia-voltaje y corriente-voltaje. Después de la irradiación con protones, la movilidad en campo bajo de electrones canal gate del AlGaN/GaN HEMT con una distancia gate-drain de 30 m aumenta y la de 10 m disminuye. Se estudió y se encontró que el comportamiento de la movilidad está relacionado con el esparcimiento del campo de Coulomb de polarización, y la irradiación con protones influye en la intensidad del esparcimiento del campo de Coulomb de polarización al cambiar la distribución de polarización/deformación en la capa de barrera. Las diferentes distancias gate-drain corresponden a diferentes tendencias de variación de la intensidad de esparcimiento. El efecto de los protones de 1 MeV en la capa de barrera es menor en comparación con los protones de 0.6 MeV y 0.4 MeV, por lo que la variación de la movilidad es menor.