Un estudio sobre los efectos de patrón de la planarización químico-mecánica con modelos basados en CNN
Autores: Bao, Han; Chen, Lan; Ren, Bowen
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Un estudio sobre los efectos de patrón de la planarización químico-mecánica con modelos basados en CNN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Pulido químico-mecánico
CMP
Circuitos integrados
Red neuronal convolucional
Morfología de la superficie
Planarización
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
El pulido químico-mecánico (CMP) se ha convertido en una de las etapas de proceso más importantes en la fabricación de circuitos integrados avanzados (IC).
Descripción
El pulido químico-mecánico (CMP) se ha convertido en una de las etapas de proceso más importantes en la fabricación de circuitos integrados avanzados (IC).