Dependencia de las ondas electromagnéticas de alta potencia irradiadas en el tiempo umbral de falla de los semiconductores utilizando una guía de ondas cerrada
Autores: Min, Sun-Hong; Kim, Jung-Il; Sattorov, Matlabjon; Kim, Seontae; Hong, Dongpyo; Kim, Seonmyeong; Hong, Bong-Hwan; Park, Chawon; Ma, Sukhwal; Kim, Minho; Lee, Kyo-Chul; Lee, Yong-Jin; Kwon, Han-Byul; Yoo, Young-Joon; Park, Sang-Yoon; Park, Gun-Sik
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Dependencia de las ondas electromagnéticas de alta potencia irradiadas en el tiempo umbral de falla de los semiconductores utilizando una guía de ondas cerrada
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Semiconductores
Ondas electromagnéticas
Circuito integrado
Guía de ondas
Oscilador magnetrón
Tiempo umbral de falla
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 31
Citaciones: Sin citaciones
El tiempo umbral de falla de los semiconductores causado por el impacto de ondas electromagnéticas de alta potencia irradiadas (HPEM) se estudia experimentalmente. Un circuito integrado (IC) SN7442 se coloca en un emulador con una guía de onda cerrada WR430 y se irradia con HPEM generadas desde un oscilador magnetrón. El estado del componente SN7442 se observa mediante un detector de diodo emisor de luz (LED) y se mide el voltaje en el componente SN7442. A medida que la magnitud del campo eléctrico en el HPEM varía de 24 kV/m a 36 kV/m, el tiempo umbral de falla disminuye de 195 s a 17 s con dependencia del campo eléctrico irradiado (E) en el tiempo umbral de falla (T) de T~E a un T~E.
Descripción
El tiempo umbral de falla de los semiconductores causado por el impacto de ondas electromagnéticas de alta potencia irradiadas (HPEM) se estudia experimentalmente. Un circuito integrado (IC) SN7442 se coloca en un emulador con una guía de onda cerrada WR430 y se irradia con HPEM generadas desde un oscilador magnetrón. El estado del componente SN7442 se observa mediante un detector de diodo emisor de luz (LED) y se mide el voltaje en el componente SN7442. A medida que la magnitud del campo eléctrico en el HPEM varía de 24 kV/m a 36 kV/m, el tiempo umbral de falla disminuye de 195 s a 17 s con dependencia del campo eléctrico irradiado (E) en el tiempo umbral de falla (T) de T~E a un T~E.