En un sistema de radiofrecuencia (RF), es posible utilizar inductores variables para proporcionar un rango de frecuencia sintonizable o selectivo. Los inductores variables pueden implementarse mediante el proceso de sistema microelectromecánico (MEMS) o utilizando transistores como interruptores para cambiar la ruta de las bobinas o las cantidades de acoplamiento. En este documento, investigamos el método de diseño de un inductor variable utilizando transistores MOS para cambiar las rutas de las bobinas principales y las bobinas secundarias acopladas. Observamos los efectos de diferentes capas de metal, números de vueltas y disposiciones de diseño para las bobinas secundarias acopladas y comparamos sus características en las inductancias y factores de calidad. Implementamos dos chips en la tecnología de proceso CMOS de 0.18 m para cada tipo de disposición para su verificación. Un inductor puede lograr valores de inductancia desde aproximadamente 300 pH hasta 550 pH, y el otro está entre 300 pH y 575 pH, correspondiendo a un rango de variación de inductancia del 59.3% y 62.5%, respectivamente, a una frecuencia de 4 GHz. Además, sus tamaños de paso fino de las inductancias conmutadas van desde 0.5% hasta 6% para un diseño, y de 1% a 12.5% para el otro. Descubrimos que ambos diseños lograron un amplio rango de ajuste de inductancia y tamaños de paso de inductancia moderados con una ligera diferencia en el comportamiento de la variación de inductancia versus frecuencia.