Investigación del efecto de la densidad de trampas en transistores de efecto de campo gate-all-around utilizando el método de elementos finitos
Autores: Belkhiria, Maissa; Aouaini, Fatma; A. Aldaghfag, Shatha; Echouchene, Fraj; Belmabrouk, Hafedh
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación del efecto de la densidad de trampas en transistores de efecto de campo gate-all-around utilizando el método de elementos finitos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Densidad de trampas
Estados de trampas electrónicas
Canal semiconductor
Dispositivos GAAFET de nanohilo con compuerta envolvente
Ecuaciones de Poisson
Método de elementos finitos
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
La densidad de trampas se refiere a la densidad de estados de trampas electrónicas dentro de materiales dieléctricos que pueden capturar y liberar portadores de carga (electrones o huecos) en un canal semiconductor, afectando el rendimiento del transistor.
Descripción
La densidad de trampas se refiere a la densidad de estados de trampas electrónicas dentro de materiales dieléctricos que pueden capturar y liberar portadores de carga (electrones o huecos) en un canal semiconductor, afectando el rendimiento del transistor.