Investigación sobre la degradación de la carga de puerta de módulos IGBT de múltiples chips en la fuente de alimentación para vehículos aéreos no tripulados
Autores: Li, Yuheng; Zhou, Zhiquan; Wang, Jinlong; Wang, Lina; Wang, Chenxu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Investigación sobre la degradación de la carga de puerta de módulos IGBT de múltiples chips en la fuente de alimentación para vehículos aéreos no tripulados
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Alta tensión
Equipo sin operador
Módulos IGBT
Degradación de la carga de puerta
Circuito de control de puerta
Corriente máxima
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
En los últimos años, con la creciente aplicación de alto voltaje en diversos sectores industriales, el despliegue de equipos no tripulados, como Vehículos Aéreos no Tripulados (UAVs) industriales de carga pesada, que incorporan Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBTs) de alta capacidad, se ha vuelto cada vez más común. La demanda de módulos IGBT de alto voltaje en UAV está en constante crecimiento; por lo tanto, explorar métodos para predecir parámetros precursor de fallas en módulos IGBT de varios chips es crucial para la gestión de la salud operativa de equipos no tripulados como UAVs.
Descripción
En los últimos años, con la creciente aplicación de alto voltaje en diversos sectores industriales, el despliegue de equipos no tripulados, como Vehículos Aéreos no Tripulados (UAVs) industriales de carga pesada, que incorporan Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBTs) de alta capacidad, se ha vuelto cada vez más común. La demanda de módulos IGBT de alto voltaje en UAV está en constante crecimiento; por lo tanto, explorar métodos para predecir parámetros precursor de fallas en módulos IGBT de varios chips es crucial para la gestión de la salud operativa de equipos no tripulados como UAVs.