En la estructura del fotodetector (PD) de InGaAs de tipo planar, una barrera de difusión tiene el efecto de modificar el perfil de difusión de zinc en la interfaz entre la tapa y la capa de absorción para mejorar el rendimiento del dispositivo. En este trabajo, se emplea una capa de barrera de difusión (DBL) de InGaAs de tipo n entre la capa de tapa de InAlAs y la capa de absorción de InGaAs ligeramente dopada de un PD de InGaAs metamórfico con desajuste de red. El rendimiento del dispositivo de los PD de InGaAs en términos de corriente oscura, eficiencia cuántica y capacitancia se simuló y comparó con los resultados experimentales. Se analizaron los efectos del grosor y la concentración de dopaje de la DBL en el rendimiento del PD y se mostró que se optimizan tanto a 300 K como a 200 K. Basándose en los resultados de la simulación, se recomienda que la concentración de electrones de la DBL sea cm y se sugiere un grosor de 0.1 m.