En este estudio, examinamos los efectos de la atmósfera de recocido en el rendimiento eléctrico y la estabilidad de los transistores de película delgada de óxido de indio-galio-estaño (IGTO) de alta movilidad. El proceso de recocido se realizó a una temperatura de 180 grados Celsius bajo atmósfera de N, O o aire después de la deposición de las películas delgadas de IGTO mediante pulverización catódica de magnetrón de corriente continua. La movilidad de efecto de campo () de los transistores IGTO recocidos en N y O fue de 26.6 cm/V·s y 25.0 cm/V·s, respectivamente; estos valores fueron superiores a los del transistor IGTO recocido en aire ( = 23.5 cm/V·s). Además, la estabilidad de los transistores IGTO recocidos en N y O bajo la aplicación de un estrés de polarización positiva (PBS) fue mayor que la del dispositivo recocido en aire. Sin embargo, el transistor IGTO recocido en N mostró un mayor desplazamiento del voltaje umbral bajo el estrés de iluminación de polarización negativa (NBIS) en comparación con los transistores IGTO recocidos en O y aire. Los resultados obtenidos indican que el gas O es el entorno más adecuado para el tratamiento térmico de los transistores IGTO para maximizar sus propiedades eléctricas y estabilidad. La baja estabilidad eléctrica del transistor IGTO recocido en aire bajo PBS y del transistor IGTO recocido en N bajo NBIS se atribuyen principalmente a la alta densidad de grupos hidroxilo y vacantes de oxígeno en las capas del canal, respectivamente.