Influencia del factor de mejora del ancho de línea en la dinámica no lineal y el encubrimiento de TDS de los láseres de anillo de semiconductor
Autores: Wang, Yichen; Wang, Xianglong; Mu, Penghua; Guo, Gang; Liu, Xintian; Wang, Kun; He, Pengfei; Hu, Guoying; Jin, Gang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Influencia del factor de mejora del ancho de línea en la dinámica no lineal y el encubrimiento de TDS de los láseres de anillo de semiconductor
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Influencias
Factor de mejora del ancho de línea
Características de salida
Láser de anillo semiconductor
Prueba de caos
Características dinámicas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 31
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se investigan numéricamente las influencias del factor de realce de anchura de línea en las características de salida de un láser de anillo semiconductor (SRL). Al construir un modelo de inyección maestro-esclavo, discutimos la influencia del factor de realce de anchura de línea en las características de salida de SRL. Además, se introduce la prueba de caos 0-1 para estudiar los efectos del factor de realce de anchura de línea, la fuerza de retroalimentación, el retardo de tiempo de retroalimentación y la corriente de inyección normalizada en las características dinámicas del láser maestro. Además, se lleva a cabo un estudio de simulación sobre la supresión de las características de retardo de tiempo por el factor de realce de anchura de línea. Los resultados muestran que seleccionar un factor de realce de anchura de línea adecuado tiene un efecto significativo en la salida caótica de SRL, y un factor de realce de anchura de línea mayor es beneficioso para ocultar la firma de retardo de tiempo. Tales resultados son beneficiosos para lograr la comunicación de caos segura y los generadores aleatorios físicos.
Descripción
En este documento, se investigan numéricamente las influencias del factor de realce de anchura de línea en las características de salida de un láser de anillo semiconductor (SRL). Al construir un modelo de inyección maestro-esclavo, discutimos la influencia del factor de realce de anchura de línea en las características de salida de SRL. Además, se introduce la prueba de caos 0-1 para estudiar los efectos del factor de realce de anchura de línea, la fuerza de retroalimentación, el retardo de tiempo de retroalimentación y la corriente de inyección normalizada en las características dinámicas del láser maestro. Además, se lleva a cabo un estudio de simulación sobre la supresión de las características de retardo de tiempo por el factor de realce de anchura de línea. Los resultados muestran que seleccionar un factor de realce de anchura de línea adecuado tiene un efecto significativo en la salida caótica de SRL, y un factor de realce de anchura de línea mayor es beneficioso para ocultar la firma de retardo de tiempo. Tales resultados son beneficiosos para lograr la comunicación de caos segura y los generadores aleatorios físicos.