Este estudio investiga el comportamiento de dispositivos memristivos caracterizados por películas de ZnO deficiente en oxígeno y HfZrO bajo estimulación de pulsos continuos. Esta dinámica refleja la adaptabilidad observada en las sinapsis neuronales cuando se someten repetidamente al estrés, lo que resulta en una respuesta mitigada a la presión. Las observaciones muestran que la conductividad de los memristores aumenta con el aumento de los pulsos eléctricos continuos. Sin embargo, el impulso de esta tendencia de crecimiento disminuye gradualmente, resaltando la capacidad de los dispositivos para adaptarse a la presión repetitiva. Este ajuste se correlaciona con la transición de las sinapsis biológicas de las etapas de memoria a corto plazo a persistente, alineándose con los principios del modelo de memoria de Ebbinghaus. La arquitectura de los memristores, integrando ZnO y HfZrO de manera estratificada, presenta perspectivas prometedoras en la replicación de las características sinápticas inherentes encontradas en los organismos biológicos.