Este documento presenta un estudio experimental sobre la respuesta a la radiación ionizante transitoria de alta tasa de dosis y los factores que influyen en un circuito de Flip-Flops D (DFFs) de Silicio Sobre Aislante Totalmente Agotado a Escala Nano (FDSOI). Los resultados indican que se producen errores de datos en los DFFs a la tasa de dosis más baja de 4.70 x 10 rad(Si)/s en los experimentos, y el número de errores de datos muestra una tendencia de aumento no lineal con el aumento de la tasa de dosis y el voltaje de suministro. Se realizaron simulaciones de diseño asistido por computadora de tecnología tridimensional (TCAD) para analizar la fotocorriente transitoria y el mecanismo de recolección de carga en procesos avanzados. Los resultados de la simulación indicaron que la eficiencia de recolección de carga se incrementa con un aumento en el voltaje de suministro, lo que resulta en una mayor fotocorriente. Esto desempeña un papel importante en el proceso de recolección de carga para la tecnología FDSOI de Cuerpo Ultrafino y Óxido Enterrado (UTBB). La investigación sobre el efecto de la radiación ionizante transitoria de alta tasa de dosis (HDR-TIRE) en los DFFs FDSOI a escala nano ayudará en la evaluación y aplicación de circuitos integrados avanzados en la industria aeroespacial.