Efectos dependientes de la densidad en la compresión de pulso en fotodetectores de GaN investigados por estudios de Monte Carlo
Autores: Milestone, William J.; Nikishin, Sergey A.; Joshi, R. P.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Efectos dependientes de la densidad en la compresión de pulso en fotodetectores de GaN investigados por estudios de Monte Carlo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Aumenta
Demanda
Interruptor semiconductor fotoconductor
Semiconductores de banda ancha
Compresión de pulso
Simulaciones de Monte Carlo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Con el aumento de la demanda de conmutación electrónica más rápida, requisitos de voltajes y corrientes de operación más altos, y la necesidad de funcionar en entornos severos mientras se opera a frecuencias aún más altas, el enfoque de investigación en la tecnología de interruptores semiconductor fotoconductor (PCSS) se ha desplazado hacia semiconductores de brecha de banda ancha.
Descripción
Con el aumento de la demanda de conmutación electrónica más rápida, requisitos de voltajes y corrientes de operación más altos, y la necesidad de funcionar en entornos severos mientras se opera a frecuencias aún más altas, el enfoque de investigación en la tecnología de interruptores semiconductor fotoconductor (PCSS) se ha desplazado hacia semiconductores de brecha de banda ancha.