Propiedades de fotoluminiscencia de puntos cuánticos de InAs recubiertos con una capa de GaAs de baja temperatura bajo diferentes presiones de arsénico
Autores: Balakirev, Sergey; Chernenko, Natalia; Kryzhanovskaya, Natalia; Shandyba, Nikita; Kirichenko, Danil; Dragunova, Anna; Komarov, Sergey; Zhukov, Alexey; Solodovnik, Maxim
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Propiedades de fotoluminiscencia de puntos cuánticos de InAs recubiertos con una capa de GaAs de baja temperatura bajo diferentes presiones de arsénico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Influencia
Presión de arsénico
Puntos cuánticos
Espectro de fotoluminiscencia
Distribución de tamaños
Transferencia de masa
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
Estudiamos la influencia de la presión de arsénico durante el crecimiento a baja temperatura de GaAs sobre puntos cuánticos de InAs en sus propiedades ópticas.
Descripción
Estudiamos la influencia de la presión de arsénico durante el crecimiento a baja temperatura de GaAs sobre puntos cuánticos de InAs en sus propiedades ópticas.