Este trabajo compara diferentes tipos de defectos resistivos que pueden ocurrir dentro de celdas SRAM de baja potencia, centrándose en su impacto en la operación del dispositivo. A pesar de la continua evolución de la integración de dispositivos SRAM, los procesos de fabricación siguen siendo muy sensibles a las fallas de producción, dando lugar a defectos que pueden ser modelados como resistencias, especialmente para dispositivos diseñados para funcionar en modos de baja potencia. Este trabajo analiza este tipo de defecto resistivo que puede afectar las funcionalidades del dispositivo de formas sutiles, dependiendo de las características y valores del defecto que pueden no ser directa o fácilmente detectables por métodos de prueba tradicionales. Analizamos cada defecto en términos de los posibles efectos dentro de la celda SRAM, su impacto en el consumo de energía y proporcionamos pautas para seleccionar los mejores métodos de prueba.