La disipación térmica es un tema importante para los dispositivos de potencia. En este trabajo, se considera el impacto de los efectos térmicos en el rendimiento de los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) basados en GaN electrodepositado con Cu. Se utilizaron técnicas de caracterización eléctrica, termometría y micro-Raman para correlacionar los efectos de una mejor disipación de calor en el rendimiento del dispositivo para HEMTs de GaN con diferentes grosores de sustrato de Si (50, 100, 150 m), con y sin una capa adicional de Cu electrodepositado. HEMTs de GaN en Cu electrodepositado en Si.