Investigación del efecto de diferentes grosores de SiN en las características de los transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN en la banda Ka
Autores: Hsu, Che-Wei; Lin, Yueh-Chin; Lee, Ming-Wen; Chang, Edward-Yi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación del efecto de diferentes grosores de SiN en las características de los transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN en la banda Ka
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Espesores
SiN
Rendimiento
Dispositivos
Potencia
Mediciones
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 50
Citaciones: Sin citaciones
El efecto de diferentes espesores de SiN en el rendimiento de los transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN (HEMTs) fue investigado en este artículo.
Descripción
El efecto de diferentes espesores de SiN en el rendimiento de los transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN (HEMTs) fue investigado en este artículo.