Investigación sobre la degradación inducida por iones pesados en el diodo JBS de SiC 4H con diferentes intervalos de P+
Autores: Wu, Zhikang; Bai, Yun; Yang, Chengyue; Li, Chengzhan; Hao, Jilong; Tian, Xiaoli; Wang, Antao; Tang, Yidan; Lu, Jiang; Liu, Xinyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación sobre la degradación inducida por iones pesados en el diodo JBS de SiC 4H con diferentes intervalos de P+
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Respuesta a la radiación
Degradación
Diodos Schottky de barrera de unión de SiC
Intervalos de implantación de P+
Simulación TCAD
Campo eléctrico
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
El estudio detalla la respuesta a la radiación de iones pesados y la degradación de los diodos Schottky de barrera de unión de carburo de silicio (JBS) con diferentes intervalos de implantación de P+ (S).
Descripción
El estudio detalla la respuesta a la radiación de iones pesados y la degradación de los diodos Schottky de barrera de unión de carburo de silicio (JBS) con diferentes intervalos de implantación de P+ (S).