En este estudio, demostramos un voltaje de ruptura de 1500 V de GaN en un dispositivo de potencia QST. El alto voltaje de ruptura y el bajo rendimiento de colapso de corriente se pueden atribuir a la mayor calidad de las capas de amortiguación de GaN crecidas en sustratos QST. Esto se debe principalmente al coeficiente de expansión térmica (CTE) emparejado con GaN y a la mayor resistencia mecánica. Basado en simulaciones de diseño asistido por computadora (TCAD), las emisiones de campo termoiónicas asistidas por trampas inducidas por campo eléctrico (TA-TFEs) en el GaN en QST podrían ser eliminadas en el amortiguador de GaN. Esta demostración mostró el potencial de GaN en QST, y promete un rendimiento y confiabilidad bien controlados bajo condiciones de operación de alta potencia.