Los materiales ferroeléctricos han recibido una atención significativa como materiales de próxima generación para compuertas en transistores debido a su capacitancia diferencial negativa. Los transistores emergentes, como el transistor de efecto de campo de capacitancia negativa (NCFET) y el transistor de efecto de campo ferroeléctrico (FeFET), se basan en el uso de materiales ferroeléctricos. En este trabajo, utilizando un modelo de campo de fase 3D multidominio (basado en la ecuación de Ginzburg-Landau dependiente del tiempo), investigamos el impacto de la carga atrapada en la interfaz (Q) en la capacitancia negativa transitoria en un capacitor ferroeléctrico (es decir, metal/Zr-HfO/Si fuertemente dopado) en serie con una resistencia. Los resultados de la simulación muestran que la trampa de interfaz refuerza el efecto de la capacitancia negativa transitoria.