Presentamos los cálculos del tiempo medio hasta la falla (MTTF) para transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN (HEMTs) utilizando dos factores de aceleración independientes. Las predicciones de MTTF generalmente se calculan a través de la relación de Arrhenius, basada en la temperatura del canal y la aceleración, dependiendo solo de un parámetro. Aunque los modos de falla de los HEMTs de AlGaN/GaN dependen en gran medida de los campos eléctricos aplicados, se introduce el modelo de Eyring para investigar la degradación dependiente tanto del voltaje como de la temperatura de los dispositivos de AlGaN/GaN. En previsión de valores adecuados de MTTF, se realizaron estudios en dispositivos no comerciales. Además, distinguimos los porcentajes acumulativos de falla a través de las distribuciones de Weibull y log-normal. También exploramos el aumento en la corriente de fuga de la compuerta a altas temperaturas para la deterioración temprana del dispositivo.