Caracterización lineal y modelado de tecnologías GaN-on-Si HEMT con longitudes de compuerta de 100 nm y 60 nm
Autores: Colangeli, Sergio; Ciccognani, Walter; Longhi, Patrick Ettore; Pace, Lorenzo; Poulain, Julien; Leblanc, Rémy; Limiti, Ernesto
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Caracterización lineal y modelado de tecnologías GaN-on-Si HEMT con longitudes de compuerta de 100 nm y 60 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Extracción
Modelos lineales
GaN-on-Si HEMT
Enfoque basado en optimización
Elementos parásitos
Figura de ruido
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Motivado por el creciente interés hacia procesos MMIC de bajo costo y sin restricciones adecuados para aplicaciones multifuncionales, posiblemente calificadas para el espacio, esta contribución informa sobre la extracción de modelos lineales confiables para dos tecnologías avanzadas de GaN-on-Si HEMT, a saber, D01GH de OMMIC (longitud de puerta de 100 nm) y D006GH (longitud de puerta de 60 nm).
Descripción
Motivado por el creciente interés hacia procesos MMIC de bajo costo y sin restricciones adecuados para aplicaciones multifuncionales, posiblemente calificadas para el espacio, esta contribución informa sobre la extracción de modelos lineales confiables para dos tecnologías avanzadas de GaN-on-Si HEMT, a saber, D01GH de OMMIC (longitud de puerta de 100 nm) y D006GH (longitud de puerta de 60 nm).