Se investigaron los locus de ruptura en estado ON dependientes de la temperatura de los transistores de alta movilidad electrónica de AlGaN/GaN (HEMTs) con una barrera posterior de AlGaN utilizando la técnica de extracción de corriente de compuerta. Se reveló que la ionización de impacto de trampas tipo aceptores era responsable de la ruptura en estado ON en los HEMTs, ya que el canal de gas de electrones 2D (2DEG) se encendía marginalmente. Se extrajo el campo eléctrico característico de la ionización de impacto, mostrando una dependencia de la temperatura en forma de U de 40 a -30 degreesC, con un mínimo en -10 degreesC. Se sugiere que el efecto de dispersión de impurezas de trampas tipo aceptores en heteroestructuras de AlGaN/GaN es responsable de la dependencia de la temperatura negativa de y por debajo de -10 degreesC.