Las cerámicas de AlO se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos de vacío. Sin embargo, el destello superficial en un vacío durante la aplicación de alta tensión influye significativamente en su fiabilidad y restringe el desarrollo de dispositivos electrónicos de vacío. El rendimiento de emisión de electrones secundarios (SEY) y la resistividad superficial de las cerámicas son los principales factores que afectan la tensión de aislamiento en vacío de los materiales cerámicos. En este estudio, se probaron la densidad a granel, la microestructura y las propiedades superficiales, incluyendo SEY y resistividad superficial, de las cerámicas de AlO. Se investigó la relación entre estas propiedades y la tensión de aislamiento en vacío de las cerámicas. Se examinó la influencia de la relación de adición de CrO a MnO y la temperatura de sinterización. Los resultados muestran que las cerámicas de AlO dopadas con Cr/Mn, con cantidades adecuadas de CrO y MnO y sinterizadas a temperaturas adecuadas, exhiben un bajo SEY, alta tensión de aislamiento y excelente estabilidad en vacío.