El trabajo actual tiene como objetivo investigar la propagación de ondas elasto-termo-difusivas en un medio semiconductor homogéneo, isotrópico y termoconductivo excitado. La teoría de las dos temperaturas se utiliza en el contexto de la teoría de foto-termoelasticidad lineal (PTE) de semiconductores. Se tienen en cuenta las memorias térmicas y elásticas encontradas en las ecuaciones para el calor, el movimiento y el campo de portadores de carga. Las ecuaciones gobernantes se aplican de acuerdo con los procesos de transporte de difusión de masa en una dimensión (1D), bajo la influencia de la optoelectrónica con un pulso láser no gaussiano. Se utilizan transformadas de Laplace para cantidades adimensionales para obtener soluciones lineales analíticas para las cantidades principales durante la deformación termoelástica (TD) y electrónica (ED). Las soluciones numéricas aproximadas de las relaciones relevantes primarias se realizan en el dominio del tiempo inverso de Laplace para observar las expresiones exactas de las cantidades físicas principales según algunas condiciones de superficie límite. Se utilizan los parámetros físicos del material semiconductor de silicio (Si) para obtener los resultados computacionales numéricos. Según la diferencia de las memorias térmicas y los parámetros de dos temperaturas, la propagación de ondas de los campos físicos se obtiene gráficamente y los resultados se discuten y analizan teóricamente.