Se investiga un análisis teórico de los impactos dinámicos de un modelo novedoso en el medio semiconductor estimulado por microelongación. Se tiene en cuenta la influencia del campo magnético del medio excitado ópticamente de acuerdo con los procesos de transporte fototérmico. Las ecuaciones gobernantes fueron creadas durante los procesos de deformación electrónica (ED) y termoelástica (TED). La conductividad térmica del medio semiconductor de microelongación se toma como dependiente de la temperatura. Se examina la interacción de ondas térmicas, de microelongación, de plasma y mecánicas. Se utilizan fórmulas adimensionales para resolver las ecuaciones principales en dos dimensiones (2D) utilizando el método de onda armónica. Las ecuaciones de campo físico tienen soluciones completas cuando se aplican ciertas condiciones a la superficie del semiconductor. El modelo teórico de semiconductor microelongado empleado en este experimento fue confirmado al compararlo con ciertos estudios anteriores. La simulación numérica para las distribuciones de campos físicos principales se muestra gráficamente cuando se emplea material de silicio (Si). El tema de la discusión fue el impacto de varios factores, como el campo magnético, la memoria térmica y la microelongación, en la propagación de ondas para campos principales.