El estudio actual investiga las interacciones termofotovoltaicas utilizando un nuevo modelo matemático de termoelasticidad establecido en una modificación del modelo de Green-Naghdi de tipo III (GN-III). Las ecuaciones básicas, en las que la transferencia de calor se presenta en forma de la ecuación de Moore-Gibson-Thompson (MGT), se derivan agregando un solo factor de retraso al modelo GN-III. El impacto de la temperatura y el desplazamiento eléctrico elástico de los semiconductores a lo largo del mecanismo termoeléctrico excitado puede estudiarse teóricamente utilizando este modelo. El modelo propuesto se utilizó para investigar las interacciones entre los procesos de plasma termoelástico en una esfera sólida de semiconductor rotativa que fue sometida a un choque térmico y cruzada con un campo magnético aplicado externamente. La influencia de los parámetros de rotación en varias características fototérmicas del silicio sólido se presentó y se exploró utilizando la técnica de Laplace.