Estudio sobre eventos únicos de interferencia en un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático de tecnología de 28 nm basado en irradiación de microvigas
Autores: Sun, Haohan; Guo, Gang; Sun, Ruinan; Zhao, Wen; Zhang, Fengqi; Liu, Jiancheng; Zhang, Zheng; Chen, Ya; Zhao, Yongle
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Estudio sobre eventos únicos de interferencia en un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático de tecnología de 28 nm basado en irradiación de microvigas
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivo electrónico en órbita
Memoria de acceso aleatorio estática
Radiación
Partículas de alta energía
Efecto de evento único
área sensible
Alteraciones de múltiples celdas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 31
Citaciones: Sin citaciones
Como un importante dispositivo electrónico en el espacio, la memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) se ve inevitablemente afectada por la radiación de partículas de alta energía en el espacio durante su misión espacial.
Descripción
Como un importante dispositivo electrónico en el espacio, la memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) se ve inevitablemente afectada por la radiación de partículas de alta energía en el espacio durante su misión espacial.