Investigación de degradación del rendimiento para un PA MMIC de alto ganancia GaAs PHEMT teniendo en cuenta la temperatura
Autores: Jia, Lining; Lin, Qian; Wu, Haifeng; Wang, Xiaozheng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Investigación de degradación del rendimiento para un PA MMIC de alto ganancia GaAs PHEMT teniendo en cuenta la temperatura
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Rendimiento
Temperatura
MMIC
GaAs
PHEMT
Confiabilidad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 23
Citaciones: Sin citaciones
Para comprender de manera integral los cambios de rendimiento del circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), este artículo propone que se investiguen las pruebas completas de confiabilidad de temperatura para un amplificador de potencia de alto rendimiento de transistor de movilidad electrónica de alto electrón de arseniuro de galio (GaAs) pseudomórfico de 2.4-4.4 GHz. El rendimiento de este amplificador de potencia MMIC a diferentes temperaturas se ha presentado de manera efectiva. Los resultados muestran que las características de corriente continua (CC), la ganancia de señal pequeña (S21) y las características de salida de radiofrecuencia (RF) de este amplificador de potencia MMIC disminuyen y el punto de intersección de tercer orden de salida (OIP3) aumenta con la temperatura creciente. El principal factor que influye en el rendimiento se analiza en detalle. Para futuras aplicaciones de este amplificador de potencia MMIC, se pueden utilizar varias medidas para remediar la degradación del rendimiento. Este artículo puede proporcionar una guía significativa para el diseño de confiabilidad de circuitos de microondas de RF.
Descripción
Para comprender de manera integral los cambios de rendimiento del circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), este artículo propone que se investiguen las pruebas completas de confiabilidad de temperatura para un amplificador de potencia de alto rendimiento de transistor de movilidad electrónica de alto electrón de arseniuro de galio (GaAs) pseudomórfico de 2.4-4.4 GHz. El rendimiento de este amplificador de potencia MMIC a diferentes temperaturas se ha presentado de manera efectiva. Los resultados muestran que las características de corriente continua (CC), la ganancia de señal pequeña (S21) y las características de salida de radiofrecuencia (RF) de este amplificador de potencia MMIC disminuyen y el punto de intersección de tercer orden de salida (OIP3) aumenta con la temperatura creciente. El principal factor que influye en el rendimiento se analiza en detalle. Para futuras aplicaciones de este amplificador de potencia MMIC, se pueden utilizar varias medidas para remediar la degradación del rendimiento. Este artículo puede proporcionar una guía significativa para el diseño de confiabilidad de circuitos de microondas de RF.