Estudio de un atenuador que soporta una estructura de onda lenta de líneas de meandro para un TWT de banda Ka
Autores: Wang, Hexin; Wang, Shaomeng; Wang, Zhanliang; Li, Xinyi; He, Tenglong; Xu, Duo; Duan, Zhaoyun; Lu, Zhigang; Gong, Huarong; Gong, Yubin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Estudio de un atenuador que soporta una estructura de onda lenta de líneas de meandro para un TWT de banda Ka
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Atenuador
Línea de meandro
Estructura de onda lenta
Simulaciones
Experimentos
Haz de electrones
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
Se propone una estructura de onda lenta (SWS) de atenuador que soporta líneas de meandro (ASML) para un tubo de onda viajera (TWT) de banda Ka y se estudia mediante simulaciones y experimentos. El SWS de ASML simplifica el proceso de fabricación y ensamblaje de las estructuras tradicionales de líneas de meandro metálicas planas, empleando un atenuador para soportar la línea de meandro en la parte inferior de la carcasa en lugar de soldarlas juntas en los lados. Para reducir la rugosidad superficial de la línea de meandro de molibdeno causada por el corte láser, la línea de meandro está recubierta con una fina película de cobre mediante pulverización catódica. La S medida de la línea de meandro está por debajo de -20 dB y varía alrededor de -8 dB a -12 dB sin el atenuador, mientras que está por debajo de -40 dB con el atenuador. Los resultados de la simulación de partículas en celda (PIC) muestran que con un haz de electrones de lámina de 4.4 kV y 200 mA, se obtiene una potencia de salida máxima de 126 W a 38 GHz, lo que corresponde a una ganancia de 24.1 dB y una eficiencia electrónica del 14.3%, respectivamente.
Descripción
Se propone una estructura de onda lenta (SWS) de atenuador que soporta líneas de meandro (ASML) para un tubo de onda viajera (TWT) de banda Ka y se estudia mediante simulaciones y experimentos. El SWS de ASML simplifica el proceso de fabricación y ensamblaje de las estructuras tradicionales de líneas de meandro metálicas planas, empleando un atenuador para soportar la línea de meandro en la parte inferior de la carcasa en lugar de soldarlas juntas en los lados. Para reducir la rugosidad superficial de la línea de meandro de molibdeno causada por el corte láser, la línea de meandro está recubierta con una fina película de cobre mediante pulverización catódica. La S medida de la línea de meandro está por debajo de -20 dB y varía alrededor de -8 dB a -12 dB sin el atenuador, mientras que está por debajo de -40 dB con el atenuador. Los resultados de la simulación de partículas en celda (PIC) muestran que con un haz de electrones de lámina de 4.4 kV y 200 mA, se obtiene una potencia de salida máxima de 126 W a 38 GHz, lo que corresponde a una ganancia de 24.1 dB y una eficiencia electrónica del 14.3%, respectivamente.