El óxido de níquel (NiO) es un óxido de tipo p y el nitrógeno es uno de los dopantes utilizados para modificar sus propiedades. Hasta ahora, el NiO dopado con nitrógeno ha mostrado propiedades ópticas y eléctricas inferiores a las del NiO puro. En este trabajo, presentamos películas delgadas de NiO dopado con nitrógeno (NiO:N) con propiedades mejoradas en comparación con las de la película delgada de NiO sin dopar. Las películas de NiO:N se cultivaron a temperatura ambiente mediante pulverización catódica utilizando un plasma que contenía un 50% de Ar y un 50% de gases (O + N). La película de NiO sin dopar era rica en oxígeno, de fase única cúbica de NiO, con una transmitancia de menos del 20%. Al doparse con nitrógeno, las películas se volvieron más transparentes (alrededor del 65%), tenían una amplia banda prohibida directa (de hasta 3.67 eV) y mostraban una clara evidencia de banda prohibida indirecta, de 2.50 a 2.72 eV, dependiendo del %(O-N) en el plasma. Los cambios en las propiedades de las películas, como el desorden estructural, la banda de energía prohibida, los estados de Urbach y la resistividad, se correlacionaron con la incorporación de nitrógeno en su estructura. La película óptima de NiO:N se utilizó para formar un diodo con una capa de TiO compacta, sobre la cual se aplicó una capa de mesoporosa con un giro, formando una heterounión NiO:N/TiO híbrida transparente que mostraba buenas características de salida, como se dedujo utilizando tanto los métodos I-V como Cheung, que se mejoraron aún más con un tratamiento térmico. Las películas transparentes de NiO:N pueden ser realizadas para dispositivos optoelectrónicos flexibles de óxido.