Este trabajo se centra principalmente en el grado de degradación de la corriente en masa () para transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal n apilados de 28 nm de alto-k (HK), probados y sometidos a estrés con la prueba de portadores calientes del canal y la prueba de portadores calientes del avalancha del drenaje, y utiliza un modelo de vida útil para extraer la vida útil de los dispositivos probados. Los resultados muestran que cuando alcanza su máximo, la relación de los valores de / en este punto, mientras tanto, aumenta gradualmente en los dispositivos probados desde los de canal largo hasta los cortos, no solo ubicados en un tercio a la mitad. La posible racionalización se debe a la corriente de encendido (), en la que los dispositivos de canal corto proporcionan un impacto mayor en la unión del drenaje y generan más portadores de huecos en el canal de superficie cerca del sitio de drenaje. Además, la disminución en después del estrés por portadores calientes no solo es el incremento en el voltaje de umbral que induce la disminución en , sino también el incremento en la tasa de recombinación debido al mecanismo de corriente de difusión. En última instancia, la vida útil del dispositivo utiliza el modelo de Berkley para extraer el parámetro de pendiente del modelo de vida útil. Estudios anteriores han reportado valores de - que van desde 2.9 a 3.3, pero en este caso, aproximadamente 1.1. Esto posiblemente significa que la energía crítica del estado de interfaz generado se vuelve más pequeña, al igual que la altura de barrera del dieléctrico HK con respecto al dióxido de silicio convencional como óxido de puerta.