Debido a los incansables esfuerzos de científicos e investigadores en materiales, procesos y dispositivos de semiconductores de óxido, las aplicaciones de transistores de película delgada (TFT) basados en óxidos han sido investigadas y promovidas a gran escala. Con las ventajas de una movilidad de portadores relativamente alta, baja corriente de apagado, buena compatibilidad de procesos, transparencia óptica, bajo costo y especialmente flexibilidad, los TFT basados en óxidos ya se han adaptado no solo para pantallas (por ejemplo, pantallas de cristal líquido (LCD), diodos orgánicos emisores de luz (OLED), microdiodos emisores de luz (Micro-LED), realidad virtual/aumentada (VR/AR) y pantallas de papel electrónico (EPD)) sino también para electrónica de gran área, circuitos analógicos y circuitos digitales. Además, a medida que aumenta la demanda de tecnología TFT, los TFT de polisilicio y óxido de baja temperatura (LTPO), que combinan TFT de LTPS de tipo p y TFT de óxido de tipo n en el mismo sustrato, han despertado un mayor interés para la realización de circuitos híbridos de metal semiconductor complementario (CMOS). Esta revisión invitada proporciona el progreso actual sobre las aplicaciones de TFT basados en óxidos. Se describen primero las configuraciones típicas de dispositivos TFT. Luego, se destacan las estrategias para aplicar TFT basados en óxidos para mejorar la calidad de la pantalla con diferentes tecnologías de compensación y obtener circuitos integrados de mayor rendimiento. Finalmente, se ofrece una perspectiva sobre el futuro desarrollo de los TFT basados en óxidos.