Una estrategia de conmutación de SiC MOSFET de regulación de voltaje en varias etapas basada en un módulo de controlador de puerta programable
Autores: Tan, Jixiang; Zhou, Zhongfu; Zou, Gongjie
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Una estrategia de conmutación de SiC MOSFET de regulación de voltaje en varias etapas basada en un módulo de controlador de puerta programable
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Carburo de silicio
MOSFETs
Velocidad de conmutación
Sobreimpulso
Corriente
Voltaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
El silicio carburo (SiC) transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFETs), como un nuevo material, tienen las ventajas de baja resistencia de drenaje-fuente, alta conductividad térmica, baja corriente de fuga y alta frecuencia de conmutación en comparación con los MOSFETs basados en silicio (Si). Por lo tanto, en muchas aplicaciones industriales, los MOSFETs de Si han sido reemplazados por los MOSFETs de SiC.
Descripción
El silicio carburo (SiC) transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFETs), como un nuevo material, tienen las ventajas de baja resistencia de drenaje-fuente, alta conductividad térmica, baja corriente de fuga y alta frecuencia de conmutación en comparación con los MOSFETs basados en silicio (Si). Por lo tanto, en muchas aplicaciones industriales, los MOSFETs de Si han sido reemplazados por los MOSFETs de SiC.