Estimaciones de Fallo para MOSFETs de Potencia de SiC en Electrónica Espacial
Autores: Galloway, Kenneth F.; Witulski, Arthur F.; Schrimpf, Ronald D.; Sternberg, Andrew L.; Ball, Dennis R.; Javanainen, Arto; Reed, Robert A.; Sierawski, Brian D.; Lauenstein, Jean-Marie
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2018
Acceso abierto
Artículo científico
2018
Estimaciones de Fallo para MOSFETs de Potencia de SiC en Electrónica Espacial
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Aeroespacial
Palabras clave
Carburo de silicio
Transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor
Quemado por evento único
Irradiación de iones pesados
Tasas de fallos
Espectro de transferencia de energía lineal
Licencia
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Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) están listos para el espacio en términos de medidas de fiabilidad típicas. Sin embargo, el agotamiento por evento único (SEB) debido a la irradiación de iones pesados a menudo ocurre a voltajes del 50% o menos que el desgarro especificado. Las tasas de fallo en el espacio se estiman para el agotamiento de dispositivos de 1200 V basándose en los datos experimentales para el agotamiento y el espectro de transferencia de energía lineal (LET) de iones pesados esperado en el espacio.
Descripción
Los transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) están listos para el espacio en términos de medidas de fiabilidad típicas. Sin embargo, el agotamiento por evento único (SEB) debido a la irradiación de iones pesados a menudo ocurre a voltajes del 50% o menos que el desgarro especificado. Las tasas de fallo en el espacio se estiman para el agotamiento de dispositivos de 1200 V basándose en los datos experimentales para el agotamiento y el espectro de transferencia de energía lineal (LET) de iones pesados esperado en el espacio.