Un esquema de arquitectura y operación de FeRAM 3D 2TnC novedoso con mejorada perturbación para una memoria de acceso aleatorio dinámico de alta densidad de bits
Autores: Lee, Ji-yeon; Song, Jiho; Choi, Seonjun; Sim, Jae-min; Song, Yun-Heub
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Un esquema de arquitectura y operación de FeRAM 3D 2TnC novedoso con mejorada perturbación para una memoria de acceso aleatorio dinámico de alta densidad de bits
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica en 3D
Limitaciones de escalado
Fabricación
Memoria de acceso aleatorio dinámica en 3D
Densidad de bits
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, propusimos el desarrollo de memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FeRAM) 3D apilable, con dos transistores selectores y n condensadores (2TnC), para abordar las limitaciones de escalado para el crecimiento de la densidad de bits y la complicada fabricación de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) 3D.
Descripción
En este documento, propusimos el desarrollo de memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FeRAM) 3D apilable, con dos transistores selectores y n condensadores (2TnC), para abordar las limitaciones de escalado para el crecimiento de la densidad de bits y la complicada fabricación de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) 3D.