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Un esquema de recuperación de fallos para un mapeo híbrido FTL en dispositivos de almacenamiento flash NAND

Autores: Park, Jong-Hyeok; Park, Dong-Joo; Chung, Tae-Sun; Lee, Sang-Won

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2021

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Acceso abierto

Artículo científico
2021

Un esquema de recuperación de fallos para un mapeo híbrido FTL en dispositivos de almacenamiento flash NAND


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Capa de traducción rápida
Esquema de recuperación de fallos
FTL
FastCheck
Mapeo híbrido
Bloques de registro

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 35

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Un FTL (capa de traducción flash), con la que la mayoría de los dispositivos de almacenamiento flash están equipados, necesita garantizar la consistencia de los metadatos modificados ante un fallo repentino de energía. Este esquema de recuperación de fallos afecta significativamente el rendimiento de escritura de un dispositivo de almacenamiento flash durante su operación normal, así como su fiabilidad y rendimiento de recuperación; por lo tanto, es deseable hacer eficiente el esquema de recuperación de fallos. A pesar de la importancia práctica de un esquema de recuperación de fallos en un FTL, existen pocos trabajos que aborden de manera integral el problema de la recuperación de fallos en FTL. Este estudio propuso un nuevo esquema de recuperación de fallos llamado FastCheck para un FTL de mapeo híbrido llamado Traducción de Sector Totalmente Asociativa (FAST). FastCheck puede asegurar eficientemente la información de mapeo de direcciones recién generada utilizando puntos de control periódicos, y al mismo tiempo, aprovecha las características de un FTL FAST, donde los bloques de registro en un área de registro se utilizan de manera circular. Por lo tanto, proporciona dos ventajas principales sobre los esquemas de recuperación de FTL existentes: uno es tener un bajo sobrecosto de registro durante las operaciones normales en el FTL y el otro es tener un tiempo de recuperación rápido en un entorno donde la tasa de aprovisionamiento de registro es relativamente alta, por ejemplo, más del 20%, y la capacidad de memoria flash es muy grande, por ejemplo, 32 GB o 64 GB.

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