Este estudio informa sobre el comportamiento de las propiedades termoeléctricas de películas delgadas de silicio microcristalino hidrogenado de tipo n y p (uc-Si: H) en función del estrés uniaxial aplicado hasta +/-1.7%. Las películas delgadas de uc-Si: H se depositaron mediante deposición química en fase vapor asistida por plasma y las propiedades termoeléctricas se obtuvieron mediante un recocido a 200 grados Celsius (350 grados Celsius) para muestras de tipo n-(p-), antes de los experimentos de flexión. El estrés de tracción (compresión) fue efectivo para aumentar la conductividad eléctrica de las muestras de tipo n-(p-). Asimismo, el estrés inducido produjo cambios en el coeficiente de Seebeck, sin embargo, mostrando una mejora solo en las películas dopadas con electrones bajo estrés de compresión. En general, la adición de una temperatura elevada a los experimentos de flexión resultó en una disminución de la estabilidad mecánica de las películas. Estas tendencias no produjeron una mejora significativa del factor de potencia termoeléctrica general, sino que se conservó en gran medida en todos los casos.